(STM32)擦除闪存并写入闪存会产生HAL_flash_ERROR_PGP错误(使用HAL)

正在尝试写入闪存以存储某些配置。我正在使用 STM32F446ze 其中我想使用最后一个16kb扇区作为存储。

我指定了 VOLTAGE_RANGE_3 当我 已擦除 我的部门。 电压范围3 映射到:

#define FLASH_VOLTAGE_RANGE_3        0x00000002U  /*!< Device operating range: 2.7V to 3.6V                */

当我使用时,向flash写入时出错 FLASH_TYPEPROGRAM_WORD 。错误为 HAL_FLASH_ERROR_PGP 。阅读参考手册我读到这与使用错误的平行度/电压水平有关。

从我可以阅读的参考手册

此外,在参考手册中,我可以阅读:

编程错误

不允许将数据编程到Flash 将跨越128位行边界的存储器。在这种情况下 不执行写入操作,并且程序对齐错误标志 (PGAERR)被设置在FLASH_SR寄存器中。写入访问类型(字节, 半单词、单词或双单词)必须对应于的类型 选择的并行度(x8、x16、x32或x64)。如果没有,写入操作 不执行,并且设置了程序并行性错误标志(PGPERR) 在FLASH_SR寄存器中

所以我想:

• 我擦除了电压范围3中的扇区
• 这给了我2.7到3.6伏的规格
• 这给了我x32的并行度大小
• 我应该能够将WORD写入闪存。

但是,这行给了我一个错误(解锁闪光灯后)

    uint32_t sizeOfStorageType = ....; // Some uint I want to write to flash as test

    HAL_StatusTypeDef flashStatus = HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, address++, (uint64_t) sizeOfStorageType);
    auto err=  HAL_FLASH_GetError(); // err == 4 == HAL_FLASH_ERROR_PGP: FLASH Programming Parallelism error flag  

    while (flashStatus != HAL_OK)
    {
    }

但当我开始写字节时,它会很好。

    uint8_t *arr = (uint8_t*) &sizeOfStorageType;
    HAL_StatusTypeDef flashStatus;
    for (uint8_t i=0; i<4; i++)
    {
        flashStatus = HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_BYTE, address++, (uint64_t) *(arr+i));
        while (flashStatus != HAL_OK)
        {
        }
    }

我的问题:

• 我是否正确理解,在擦除扇区后,我可以 只有 写一个 TYPEPROGRAM ? 因此,在擦除之后,我可以 只有 写字节、OR、半字、OR、字或双字?
• 在上述情况下,我遗漏了什么/做错了什么。为什么我只能写字节,而我用擦除 电压范围3 ?